Vishay ThunderFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11.3 A 19 W, 6-Pin SC-70

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RS Best.-Nr.:
165-6297
Herst. Teile-Nr.:
SIA416DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

ThunderFET

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

130mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

19W

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.75mm

Länge

2.15mm

Breite

2.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, mittlerer Spannung/thunderfet®, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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