Vishay ThunderFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11.1 A 5.7 W, 8-Pin SOIC

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SI4056DY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

ThunderFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

31mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.6nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

5.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, mittlerer Spannung/thunderfet®, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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