Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 165-6578
Herst. Teile-Nr.:: BSC060P03NS3EGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 165-6578
Herst. Teile-Nr.:: BSC060P03NS3EGATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	OptiMOS P
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9.6mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	61nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	-25V, +25V
	Maximale Verlustleistung Pd	83W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.1mm
	Länge	6.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	5.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie OptiMOS P
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.6mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs -25V, +25V
	Maximale Verlustleistung Pd 83W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.1mm
	Länge 6.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 5.35mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC060P03NS3EGATMA1

Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochstrom-Niederspannungsanwendungen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und bietet eine hohe Dauerstromkapazität bei gleichzeitiger Beibehaltung eines kompakten Gehäuses für flache Leiterplatten-Designs.

Merkmale und Vorteile:

• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen dauerhaftes Hochstromschalten
• Die Nennleistung von 30 V Drain-Source unterstützt Niederspannungsstufen
• 9,6 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste und Wärmeentwicklung
• Maximale Verlustleistung von 83 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• 61 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• 25-V-Gate-Source-Grenzwert sichert den Gate-Antriebs-Headroom für Robustheit

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Gleichstrommotorantriebe, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Wird für Point-of-Load-Regler in Server- und Telekommunikationsgeräten verwendet
• Kann für Batteriemanagementsysteme in der Energiespeicherung verwendet werden
• Geeignet für Hochstromlastschalter auf kompakten Leiterplatten

Welchen thermischen Bereich kann er während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit starken Temperaturschwankungen.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird für die Leiterplattenmontage verwendet?

Das Gerät wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage und Low-Profile-Baugruppen konzipiert ist.

Sind Kanaltyp und Betriebsart für gängige Leistungstopologien geeignet?

Es verwendet einen P-Typ-Kanal im Verstärkungsmodus, geeignet für Designs, die ein P-Kanal-Gerät mit kontrollierten Leitungscharakteristiken erfordern.

Wie kompakt ist die Komponente für enge Leiterplatten-Layouts?

Die Gehäusehöhe beträgt 1,1 mm und die Grundfläche ermöglicht eine kompakte Platzierung bei gleichzeitig hoher Strombelastbarkeit.