Infineon OptiMOS P BSC060P03NS3EGATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 825-9266
Herst. Teile-Nr.:: BSC060P03NS3EGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS P BSC060P03NS3EGATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON

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Marke:: Infineon

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Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P

Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform
Standardgehäuse
P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	OptiMOS P
Gehäusegröße	TDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	9,6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.9V
Gate-Schwellenspannung min.	3.1V
Verlustleistung max.	83 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Breite	5.35mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	61 nC @ 10 V
Länge	6.35mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.1mm