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    Infineon OptiMOS™ 3 BSC520N15NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 21 A 57 W, 8-Pin TDSON

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    RS Best.-Nr.:
    165-6655
    Herst. Teile-Nr.:
    BSC520N15NS3GATMA1
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.21 A
    Drain-Source-Spannung max.150 V
    SerieOptiMOS™ 3
    GehäusegrößeTDSON
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.52 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.57 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite6.1mm
    Länge5.35mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs8,7 nC @ 10 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Höhe1.1mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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