STMicroelectronics STripFET STD26P3LLH6 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 165-6853
Herst. Teile-Nr.:: STD26P3LLH6
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET STD26P3LLH6 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 165-6853
Herst. Teile-Nr.:: STD26P3LLH6
Marke:: STMicroelectronics

STD26P3LLH6, P-Channel 30V, 0.024 Ohm typ., 12A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a DPAK package Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	STripFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	45 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	40 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12 nC @ 4,5 V
Breite	6.2mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	2.4mm

STMicroelectronics STripFET STD26P3LLH6 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics

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