STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 40 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
STD26P3LLH6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STripFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.6mm

Höhe

2.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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