Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 165-7604
Herst. Teile-Nr.:: IRF3710ZPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin TO-220

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100 - 200	0,878 €	43,90 €
250 - 450	0,823 €	41,15 €
500 - 950	0,768 €	38,40 €
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RS Best.-Nr.:: 165-7604
Herst. Teile-Nr.:: IRF3710ZPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	59A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	18mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	160W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	82nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.69 mm
	Höhe	8.77mm
	Länge	10.54mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 160W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.69 mm
	Höhe 8.77mm
	Länge 10.54mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MX

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