Infineon HEXFET IRFP3306PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 220 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 688-6982
Herst. Teile-Nr.:: IRFP3306PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFP3306PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 220 W, 3-Pin TO-247AC

275 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

2,875 €

(ohne MwSt.)

3,421 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	2,875 €	5,75 €
20 - 48	2,475 €	4,95 €
50 - 98	2,305 €	4,61 €
100 - 198	2,16 €	4,32 €
200 +	1,985 €	3,97 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 688-6982
Herst. Teile-Nr.:: IRFP3306PBF
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.

Synchrongleichrichter-MOSFET

Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	160 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-247AC
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	220 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	15.87mm
Breite	5.31mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	85 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	20.7mm