Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-8068
Herst. Teile-Nr.:: IPB200N25N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 165-8068
Herst. Teile-Nr.:: IPB200N25N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 64 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 300 W maximale Verlustleistung - IPB200N25N3GATMA1

Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen entwickelt und verfügt über einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 64A und eine Nennspannung von 250V. Sein robustes thermisches Verhalten und sein niedriger Durchlasswiderstand tragen zu einer effektiven elektrischen Leistung über einen weiten Temperaturbereich bei und machen ihn für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung geeignet.

Eigenschaften und Vorteile

• Optimales Produkt aus Gate-Ladung und RDS(on) erhöht die Effizienz
• Niedriger Einschaltwiderstand minimiert den Leistungsverlust während des Betriebs
• Betriebstemperaturen bis zu +175°C ermöglichen vielfältige Anwendungen
• Entspricht den RoHS- und halogenfreien Standards für eine umweltfreundliche Nutzung
• Kompaktes D2PAK-Design und Oberflächenmontage erleichtern die Integration
• Qualifiziert nach JEDEC für Zuverlässigkeit in Zielanwendungen

Anwendungsbereich

• Einsatz in Stromversorgungen für Automatisierungssysteme
• Geeignet für hocheffiziente Umrichter für erneuerbare Energien
• Eingesetzt in der Motorsteuerung von Industriemaschinen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Tischnetzteilen
• Anwendung in Elektrofahrzeugen für ein effektives Energiemanagement

Welche Maßnahmen sollten ergriffen werden, um eine optimale Leistung während der Installation zu gewährleisten?

Es ist wichtig, ein effektives Wärmemanagementsystem zu unterhalten, um die Wärme abzuleiten und sicherzustellen, dass das Gerät innerhalb der angegebenen Temperaturgrenzen arbeitet.

Kann dieses Bauteil in Anwendungen eingesetzt werden, die ein schnelles Umschalten erfordern?

Ja, er eignet sich aufgrund seiner schnellen Schaltfähigkeit für Hochfrequenzanwendungen wie DC-DC-Wandler und Treiber.

Gibt es ein bestimmtes Schaltungsdesign, das für eine optimale Nutzung empfohlen wird?

Eine geeignete Gate-Treiberschaltung kann die Leistung verbessern, insbesondere in Bezug auf die Ein- und Ausschaltzeiten, was zur Verringerung der Schaltverluste beiträgt.

Was ist bei den Umweltbedingungen während des Betriebs zu beachten?

Achten Sie darauf, dass die Umgebungstemperaturen innerhalb der Betriebsgrenzen von -55°C bis +175°C bleiben, um eine thermische Schädigung zu vermeiden.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	64 A
Drain-Source-Spannung max.	250 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™ 3
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	9.45mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.31mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	64 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.57mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V