Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 898-6870
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB200N25N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPB200N25N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Breite | 9.45mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.31mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Breite 9.45mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 64 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 300 W maximale Verlustleistung - IPB200N25N3GATMA1
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Welche Maßnahmen sollten ergriffen werden, um eine optimale Leistung während der Installation zu gewährleisten?
Kann dieses Bauteil in Anwendungen eingesetzt werden, die ein schnelles Umschalten erfordern?
Gibt es ein bestimmtes Schaltungsdesign, das für eine optimale Nutzung empfohlen wird?
Was ist bei den Umweltbedingungen während des Betriebs zu beachten?
Wie verhält sich dieser MOSFET bei hoher Belastung?
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