DiodesZetex DMN10H099SK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 34 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 165-8397
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H099SK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
602,50 €
(ohne MwSt.)
717,50 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 2500 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,241 € | 602,50 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8397
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H099SK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | DMN10H099SK3 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.77V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.7 mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie DMN10H099SK3 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Durchlassspannung Vf 0.77V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.7 mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN10H099SK3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex DMTH3002LK3 Typ N-Kanal 2-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin TO-252