DiodesZetex DMN10H099SK3-13 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 34 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 921-1044
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H099SK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 99 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
| Verlustleistung max. | 34 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25,2 nC bei 10 V |
| Länge | 6.2mm |
| Breite | 6.7mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 2.39mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.77V |
- RS Best.-Nr.:
- 921-1044
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H099SK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
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