DiodesZetex DMN10H099SK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 34 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
921-1044
Herst. Teile-Nr.:
DMN10H099SK3-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

DMN10H099SK3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.77V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

34W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.2mm

Höhe

2.39mm

Breite

6.7 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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