DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 280 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 165-8670
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002VC-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- Marke:
- DiodesZetex
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
---|---|---|
Marke | DiodesZetex | |
Channel-Typ | N | |
Dauer-Drainstrom max. | 280 mA | |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
Gehäusegröße | SOT-563 | |
Montage-Typ | SMD | |
Pinanzahl | 6 | |
Drain-Source-Widerstand max. | 13,5 Ω | |
Channel-Modus | Enhancement | |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
Verlustleistung max. | 150 mW | |
Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
Gate-Source Spannung max. | -40 V, +40 V | |
Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
Länge | 1.7mm | |
Breite | 1.25mm | |
Transistor-Werkstoff | Si | |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
Höhe | 0.6mm | |
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Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 280 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 13,5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 150 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -40 V, +40 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 1.7mm | ||
Breite 1.25mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 0.6mm | ||
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