DiodesZetex Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 620 mA 1 W, 6-Pin SOT-563

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RS Best.-Nr.:
122-2874
Herst. Teile-Nr.:
DMG1029SV-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

620mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-563

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.3nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

1.7mm

Breite

1.25 mm

Höhe

0.6mm

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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