DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 260 mA 450 mW, 6-Pin SOT-563

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RS Best.-Nr.:
822-2592
Herst. Teile-Nr.:
DMN63D8LV-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

260mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-563

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.4nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

450mW

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS

Länge

1.7mm

Breite

1.25 mm

Höhe

0.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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