Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,2 A 2,17 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 165-8790
Herst. Teile-Nr.:: PMV160UP,215
Marke:: Nexperia

Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,2 A 2,17 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 165-8790
Herst. Teile-Nr.:: PMV160UP,215
Marke:: Nexperia

PMV160UP 20V, 1.2A P-channel Trench MOSFET datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	1,2 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	210 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	0.95V
Gate-Schwellenspannung min.	0.45V
Verlustleistung max.	2,17 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	+8 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	1.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	3,3 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	3mm
Höhe	1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,2 A 2,17 W, 3-Pin SOT-23

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P-Kanal-MOSFET, Nexperia

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