Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 166-0985
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP023N10N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
243,00 €
(ohne MwSt.)
289,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | 4,86 € | 243,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-0985
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP023N10N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 168nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free, JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 168nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free, JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 15.95mm | ||
Breite 4.57 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- MY
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 3-Pin
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 3-Pin
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS -T2 Typ N-Kanal 3-Pin
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 3-Pin IPD90P03P4L04ATMA1
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 3-Pin IPD50P04P413ATMA1
