onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 29 A 69 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
166-1700
Herst. Teile-Nr.:
FDD3860
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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