onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

354,00 €

(ohne MwSt.)

420,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 36.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,118 €354,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
166-1833
Herst. Teile-Nr.:
FDN359AN
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.94mm

Breite

1.4 mm

Länge

2.92mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links