onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 115 mA 200 mW, 6-Pin SC-70

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RS Best.-Nr.:
166-1841
Herst. Teile-Nr.:
2N7002DW
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

115mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

200mW

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

1.25 mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der 2N7002DW ist ein Universal-MOSFET mit zwei N-Kanälen. Er verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Er verfügt außerdem über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist in einem extrem kleinen SMD-Gehäuse erhältlich. Dieser zweifache N-Kanal-MOSFET wird üblicherweise in allen allgemeinen Anwendungen verwendet, wird aber häufig in Motorsteuerungen und PMF (Power Management Functions) verwendet.

Eigenschaften und Vorteile:


• Zweifach-N-Kanal

• Niedriger Einschaltwiderstand

• Niedriger Gate-Schwellenwert

• Schnelle Schaltgeschwindigkeit

• Niedrige Eingangs- und Ausgangsleckage

Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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