onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 39 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

47,15 €

(ohne MwSt.)

56,10 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lieferengpass
  • Zusätzlich 150 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 +0,943 €47,15 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
166-1890
Herst. Teile-Nr.:
FQPF3N80C
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

QFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Durchlassspannung Vf

1.4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.16mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.19mm

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET QFET®, bis zu 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links