onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 39 W, 3-Pin FQPF3N80C TO-220

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

6,67 €

(ohne MwSt.)

7,935 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lieferengpass
  • 25 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 160 Einheit(en) mit Versand ab 09. Januar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +1,334 €6,67 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-5250
Herst. Teile-Nr.:
FQPF3N80C
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

QFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.7 mm

Höhe

9.19mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.16mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET QFET®, bis zu 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links