onsemi PowerTrench FDS6690A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 166-2622
Herst. Teile-Nr.:: FDS6690A
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench FDS6690A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 166-2622
Herst. Teile-Nr.:: FDS6690A
Marke:: onsemi

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Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	PowerTrench
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	13 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4mm
Länge	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12 nC bei 5 V
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C