- RS Best.-Nr.:
- 166-2662
- Herst. Teile-Nr.:
- FDV305N
- Marke:
- onsemi
Das Produkt ist zurzeit nicht verfügbar und kann derzeit nicht vorbestellt werden.
Leider ist dieses Produkt derzeit nicht auf Lager und kann nicht vorbestellt werden.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,096 €
(ohne MwSt.)
0,114 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
3000 + | 0,096 € | 288,00 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 166-2662
- Herst. Teile-Nr.:
- FDV305N
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 900 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Serie | PowerTrench |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 220 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V |
Verlustleistung max. | 350 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,1 nC @ 4,5 V |
Länge | 2.92mm |
Breite | 1.3mm |
Höhe | 0.93mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 166-2662
- Herst. Teile-Nr.:
- FDV305N
- Marke:
- onsemi
Verwandte Produkte
- onsemi PowerTrench FDN5618P P-Kanal25 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench FDN306P P-Kanal6 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench FDN335N N-Kanal7 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench FDN360P P-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench FDY100PZ P-Kanal 3-Pin SOT-523 (SC-89)
- onsemi PowerTrench FDN342P P-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench NDS351AN N-Kanal2 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS352AP P-Kanal 3-Pin SOT-23