onsemi Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
166-2740
Herst. Teile-Nr.:
FDC6303N
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

680mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

900mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.64nC

Gate-Source-spannung max Vgs

8V

Durchlassspannung Vf

830mV

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

1.7mm

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Digitale FETs, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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