onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 166-2856
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002KW
- Marke:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002KW
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- onsemi
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,8 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.1V | |
| Verlustleistung max. | 350 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2.92mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.2mm | |
Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 300 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,8 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.1V | ||
Verlustleistung max. 350 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2.92mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.2mm | ||