- RS Best.-Nr.:
- 166-2990
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF18N50T
- Marke:
- onsemi
Verfügbarkeitsanzeige zurzeit leider nicht möglich - bitte versuchen Sie es später erneut.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
2,587 €
(ohne MwSt.)
3,079 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
50 - 50 | 2,587 € | 129,35 € |
100 - 200 | 2,033 € | 101,65 € |
250 - 450 | 1,971 € | 98,55 € |
500 - 950 | 1,726 € | 86,30 € |
1000 + | 1,529 € | 76,45 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 166-2990
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF18N50T
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.
UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.
UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 18 A |
Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
Serie | UniFET |
Gehäusegröße | TO-220F |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 265 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 38,5 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 4.9mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 10.36mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 16.07mm |
Verwandte Produkte
- onsemi UniFET FDPF12N50FT N-Kanal5 A 42 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET FDPF20N50 N-Kanal5 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET FDPF18N50 N-Kanal5 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET FDPF5N50FT N-Kanal5 A 28 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET FDPF12N50NZ N-Kanal5 A 42 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET FDPF13N50FT N-Kanal 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET FDPF15N65 N-Kanal5 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET FDPF5N50NZ N-Kanal5 A 30 W, 3-Pin TO-220F