onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-3245
Herst. Teile-Nr.:
NDS9945
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

300mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.9nC

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

4.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.9 mm

Höhe

1.57mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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