onsemi Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.9 A 2 W, 8-Pin SOIC SI4532DY
- RS Best.-Nr.:
- 772-8938
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4532DY
- Marke:
- onsemi
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- SI4532DY
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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