onsemi PowerTrench FDD6690A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 46 A 56 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 166-3376
Herst. Teile-Nr.:: FDD6690A
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench FDD6690A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 46 A 56 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: FDD6690A
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Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	46 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	PowerTrench
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	19 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	56 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	6.73mm
Breite	6.22mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	13 nC bei 5 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	2.39mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C