onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 16 A 89 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
166-3429
Herst. Teile-Nr.:
FDD18N20LZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

UniFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

130mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22 mm

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.

UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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