onsemi PowerTrench FDMS86200DC N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 40 A 125 W, 8-Pin PQFN8

RS Best.-Nr.:: 166-3509
Herst. Teile-Nr.:: FDMS86200DC
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench FDMS86200DC N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 40 A 125 W, 8-Pin PQFN8

Voraussichtlich ab 09.12.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)

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3000 +	2,10 €	6.300,00 €

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RS Best.-Nr.:: 166-3509
Herst. Teile-Nr.:: FDMS86200DC
Marke:: onsemi

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: DE

Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	40 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	PQFN8
Serie	PowerTrench
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	35 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.85mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	30 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5.1mm
Höhe	1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C