onsemi Einfach PowerTrench Typ N, Typ N-Kanal 1, Oberfläche, SMD MOSFET 150 V Erweiterung / 16 A 54 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 864-8221
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86260
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
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- FDMC86260
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche, SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 69mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche, SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 69mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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