onsemi Einfach PowerTrench N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 16 A 54 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 864-8221
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86260
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
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- 864-8221
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86260
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 150 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 16 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 54 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.3 V | |
| Höhe | 750 μm | |
| Länge | 3.3 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 69 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 15 nC | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie PowerTrench | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 150 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 16 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 54 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.3 V | ||
Höhe 750 μm | ||
Länge 3.3 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 69 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 15 nC | ||
Breite 3.3 mm | ||
- Ursprungsland:
- DE
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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