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    onsemi PowerTrench FDC855N N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,1 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23

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    RS Best.-Nr.:
    166-3629
    Herst. Teile-Nr.:
    FDC855N
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.6,1 A
    Drain-Source-Spannung max.30 V
    SeriePowerTrench
    GehäusegrößeSOT-23
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl6
    Drain-Source-Widerstand max.39 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.1V
    Verlustleistung max.1,6 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Breite1.7mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Gate-Ladung typ. @ Vgs9,2 nC @ 10 V
    Länge3mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Höhe1mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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