onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.1 A 1.6 W, 6-Pin SOT-23

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809-0871
Herst. Teile-Nr.:
FDC855N
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

39mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.7 mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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