onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.1 A 1.6 W, 6-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 809-0871
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC855N
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
10,46 €
(ohne MwSt.)
12,44 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 240 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Wird eingestellt
- Letzte 20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,523 € | 10,46 € |
| 200 - 480 | 0,451 € | 9,02 € |
| 500 - 980 | 0,391 € | 7,82 € |
| 1000 - 1980 | 0,343 € | 6,86 € |
| 2000 + | 0,313 € | 6,26 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 809-0871
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC855N
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.7 mm | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 6-Pin SOT-23