IXYS PolarHVTM HiPerFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin ISOPLUS264

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*

692,625 €

(ohne MwSt.)

824,225 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 25 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
25 +27,705 €692,63 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-4575
Herst. Teile-Nr.:
IXFL100N50P
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

ISOPLUS264

Serie

PolarHVTM HiPerFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

240nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

625W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

26.42mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.21 mm

Länge

20.29mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie HiperFET PolarHV


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs vom Anreicherungstyp der Serie IXYS PolarHV™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links