IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 146-4403
Distrelec-Artikelnummer:: 302-53-297
Herst. Teile-Nr.:: IXFA80N25X3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:: IXFA80N25X3
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	IXYS
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	80A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Serie	HiperFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	16mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.4V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	83nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	390W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	4.83mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	11.05 mm
	Länge	10.41mm
	Distrelec Product Id	30253297
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke IXYS
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Serie HiperFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.4V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 83nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 390W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 4.83mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 11.05 mm
	Länge 10.41mm
	Distrelec Product Id 30253297
	Automobilstandard Nein

Niedrigster Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg

Diode mit Gehäuse mit kurzer, weicher Erholzeit dv/dt Robustheit

Überlegene Durchbruchfähigkeit

Gehäuse nach internationaler Norm

Akkuladegeräte für leichte Elektrofahrzeuge

Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen

Motorsteuerung

DC/DC-Konverter

Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Elektrisch betriebene Gabelstapler

Audioverstärker der Klasse D

Telekommunikationssysteme

Hohe Eﬃzienz

Hohe Leistungsdichte

Erhöhte Systemzuverlässigkeit

Einfache Integration

200 MHz/330 DMI/s, MIPS32 microAptiv-Kern

Dual Panel Flash für Live-Update-Unterstützung

12 bit, 18 Mbit/s, 45-Kanal-ADC-Modul

Speicherverwaltungseinheit für optimale Ausführung des eingebetteten OS

microMIPS-Modus für bis zu 35 % Code-Kompression

CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI- & analoge Komparatoren

SPI/I2S-Schnittstellen für Audioverarbeitung und -wiedergabe

Hi-Speed USB-Gerät/Host/OTG

10/100 Mbit/s Ethernet MAC mit MII- und RMII-Schnittstelle

Erweiterter Speicherschutz

2 MB Flash-Speicher (plus zusätzliche 160 KB Boot-Flash )

640 KB SRAM-Speicher

IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-263

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