IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 1000 V Erweiterung /

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RS Best.-Nr.:
801-1389
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-309
Herst. Teile-Nr.:
IXFH15N100Q3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1000V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HiperFET, Q3-Class

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.05Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Verlustleistung Pd

690W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Höhe

16.26mm

Breite

5.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.26mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM Q3


Die IXYS Q3-Klasse von HiperFETTM-Leistungs-MOSFETs eignen sich sowohl für Hard Switching- als auch für Resonanzmodusanwendungen und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte verfügen über eine schnelle intrinsische Diode und sind in einer Vielzahl von Gehäusen nach Industriestandard erhältlich, einschließlich isolierter Typen, mit Nennspannungen von bis zu 1100 V und 70 A. Typische Anwendungen umfassen DC/DC-Wandler, Akkuladegeräte, Schalt- und Resonanz-Netzteile, DC-Schalter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle intrinsische Gleichrichterdiode

Niedriger RDS(on) und QG (Gate-Ladung)

Geringer intrinsischer Gate-Widerstand

Gehäuse nach Industriestandard

Geringe Gehäuseinduktivität

Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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