IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 1 kV Erweiterung / 15 A 690 W,

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
920-0969
Herst. Teile-Nr.:
IXFH15N100Q3
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1kV

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HiperFET, Q3-Class

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.05Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Verlustleistung Pd

690W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.4V

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

16.26mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.26mm

Breite

5.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series


The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

Fast intrinsic rectifier diode

Low RDS(on) and QG (gate charge)

Low intrinsic gate resistance

Industry standard packages

Low package inductance

High power density

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.