IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 1000 V Erweiterung /
- RS Best.-Nr.:
- 920-0969
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH15N100Q3
- Marke:
- IXYS
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1000V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.05Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 690W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.26mm | |
| Länge | 16.26mm | |
| Breite | 5.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1000V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 690W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.26mm | ||
Länge 16.26mm | ||
Breite 5.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM Q3
Die IXYS Q3-Klasse von HiperFETTM-Leistungs-MOSFETs eignen sich sowohl für Hard Switching- als auch für Resonanzmodusanwendungen und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte verfügen über eine schnelle intrinsische Diode und sind in einer Vielzahl von Gehäusen nach Industriestandard erhältlich, einschließlich isolierter Typen, mit Nennspannungen von bis zu 1100 V und 70 A. Typische Anwendungen umfassen DC/DC-Wandler, Akkuladegeräte, Schalt- und Resonanz-Netzteile, DC-Schalter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Schnelle intrinsische Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(on) und QG (Gate-Ladung)
Geringer intrinsischer Gate-Widerstand
Gehäuse nach Industriestandard
Geringe Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
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