IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 82 A, 3-Pin PLUS264

RS Best.-Nr.:: 801-1370
Herst. Teile-Nr.:: IXFB82N60Q3
Marke:: IXYS

IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 82 A, 3-Pin PLUS264

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Herst. Teile-Nr.:: IXFB82N60Q3
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	IXYS
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	82A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	HiperFET, Q3-Class
	Gehäusegröße	PLUS264
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Höhe	26.59mm
	Länge	20.29mm
	Breite	5.31 mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1

	Alle auswählen
	Marke IXYS
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 82A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie HiperFET, Q3-Class
	Gehäusegröße PLUS264
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Höhe 26.59mm
	Länge 20.29mm
	Breite 5.31 mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM Q3

Die IXYS Q3-Klasse von HiperFETTM-Leistungs-MOSFETs eignen sich sowohl für Hard Switching- als auch für Resonanzmodusanwendungen und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte verfügen über eine schnelle intrinsische Diode und sind in einer Vielzahl von Gehäusen nach Industriestandard erhältlich, einschließlich isolierter Typen, mit Nennspannungen von bis zu 1100 V und 70 A. Typische Anwendungen umfassen DC/DC-Wandler, Akkuladegeräte, Schalt- und Resonanz-Netzteile, DC-Schalter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle intrinsische Gleichrichterdiode

Niedriger RDS(on) und QG (Gate-Ladung)

Geringer intrinsischer Gate-Widerstand

Gehäuse nach Industriestandard

Geringe Gehäuseinduktivität

Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 82 A, 3-Pin PLUS264

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM Q3

MOSFET-Transistoren, IXYS

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