IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 82 A 960 W, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 804-7565
Distrelec-Artikelnummer:: 302-53-357
Herst. Teile-Nr.:: IXFN100N50Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 82 A 960 W, 4-Pin SOT-227

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IXFN100N50Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	82 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Gehäusegröße	SOT-227
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	49 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	960 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	255 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	25.07mm
Länge	38.23mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	9.6mm

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 82 A 960 W, 4-Pin SOT-227

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

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