IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 38 A 960 W, 4-Pin SOT-227

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Eingestellt
RS Best.-Nr.:
804-7577
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-373
Herst. Teile-Nr.:
IXFN44N100Q3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

38 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Gehäusegröße

SOT-227

Montage-Typ

Schraubmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

220 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

6.5V

Verlustleistung max.

960 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

264 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

38.23mm

Breite

25.07mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.6mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3


Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte


MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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