IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal 1, Schraubanschlussklemme MOSFET 1000 V Erweiterung / 38 A, 4-Pin SOT-227

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Eingestellt
RS Best.-Nr.:
804-7577
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-373
Herst. Teile-Nr.:
IXFN44N100Q3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1000V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

HiperFET, Q3-Class

Montageart

Schraubanschlussklemme

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

220mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-30/30 V

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

38.23mm

Breite

25.07 mm

Höhe

9.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM Q3


Die IXYS Q3-Klasse von HiperFETTM-Leistungs-MOSFETs eignen sich sowohl für Hard Switching- als auch für Resonanzmodusanwendungen und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte verfügen über eine schnelle intrinsische Diode und sind in einer Vielzahl von Gehäusen nach Industriestandard erhältlich, einschließlich isolierter Typen, mit Nennspannungen von bis zu 1100 V und 70 A. Typische Anwendungen umfassen DC/DC-Wandler, Akkuladegeräte, Schalt- und Resonanz-Netzteile, DC-Schalter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle intrinsische Gleichrichterdiode

Niedriger RDS(on) und QG (Gate-Ladung)

Geringer intrinsischer Gate-Widerstand

Gehäuse nach Industriestandard

Geringe Gehäuseinduktivität

Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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