IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class N-Kanal 1, Schraubanschlussklemme MOSFET 1 kV Erweiterung / 38 A 960 W, 4-Pin SOT-227

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Eingestellt
RS Best.-Nr.:
804-7577
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-373
Herst. Teile-Nr.:
IXFN44N100Q3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1kV

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

HiperFET, Q3-Class

Montageart

Schraubanschlussklemme

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

220mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30V, -30V

Maximale Verlustleistung Pd

960W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Breite

25.07mm

Länge

38.23mm

Höhe

9.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series


The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

Fast intrinsic rectifier diode

Low RDS(on) and QG (gate charge)

Low intrinsic gate resistance

Industry standard packages

Low package inductance

High power density

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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