IXYS HiperFET, Q3-Class IXFT18N100Q3 N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268

RS Best.-Nr.:: 801-1461
Herst. Teile-Nr.:: IXFT18N100Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFT18N100Q3 N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268

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Herst. Teile-Nr.:: IXFT18N100Q3
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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	18 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Gehäusegröße	TO-268
Serie	HiperFET, Q3-Class
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	660 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	830 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	14mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	90 nC @ 10 V
Länge	16.05mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	5.1mm