IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268

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RS Best.-Nr.:
801-1461
Herst. Teile-Nr.:
IXFT18N100Q3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

18 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Gehäusegröße

TO-268

Serie

HiperFET, Q3-Class

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

660 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

6.5V

Verlustleistung max.

830 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

16.05mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

14mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

90 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

5.1mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3


Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode

Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)

Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand

Industriestandard-Gehäuse

Niedrige Gehäuseinduktivität

Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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