IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
801-1461
Herst. Teile-Nr.:
IXFT18N100Q3
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

18 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Gehäusegröße

TO-268

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

660 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

6.5V

Verlustleistung max.

830 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

16.05mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

14mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

90 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

5.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3


Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode

Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)

Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand

Industriestandard-Gehäuse

Niedrige Gehäuseinduktivität

Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links