IXYS HiperFET, Q3-Class IXFT18N100Q3 N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268

Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS