IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268

RS Best.-Nr.:: 168-4712
Herst. Teile-Nr.:: IXFT18N100Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268

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Herst. Teile-Nr.:: IXFT18N100Q3
Marke:: IXYS

IXFT18N100Q3, IXFH18N100Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	18 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Gehäusegröße	TO-268
Serie	HiperFET, Q3-Class
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	660 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	830 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	90 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	14mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	16.05mm
Höhe	5.1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

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