Teile-Nr.

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

RS Best.-Nr.:: 801-1483
Distrelec-Artikelnummer:: 302-53-405
Herst. Teile-Nr.:: IXFX24N100Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

Eingestellt

RS Best.-Nr.:: 801-1483
Distrelec-Artikelnummer:: 302-53-405
Herst. Teile-Nr.:: IXFX24N100Q3
Marke:: IXYS

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	IXYS
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	24 A
	Drain-Source-Spannung max.	1000 V
	Gehäusegröße	PLUS247
	Serie	HiperFET, Q3-Class
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	440 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
	Verlustleistung max.	1 kW
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
	Breite	5.21mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Länge	16.13mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	140 nC @ 10 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Betriebstemperatur min.	-55 °C
	Höhe	21.34mm

	Alle auswählen
	Marke IXYS
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 24 A
	Drain-Source-Spannung max. 1000 V
	Gehäusegröße PLUS247
	Serie HiperFET, Q3-Class
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 440 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 6.5V
	Verlustleistung max. 1 kW
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
	Breite 5.21mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Länge 16.13mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 140 nC @ 10 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Betriebstemperatur min. -55 °C
	Höhe 21.34mm

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

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