IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

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RS Best.-Nr.:
801-1483
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-405
Herst. Teile-Nr.:
IXFX24N100Q3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

24 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Gehäusegröße

PLUS247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

440 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

6.5V

Verlustleistung max.

1 kW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

5.21mm

Länge

16.13mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

140 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

21.34mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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