IXYS HiperFET, Q-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin PLUS247
- RS Best.-Nr.:
- 920-0975
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFX24N100Q3
- Marke:
- IXYS
Eingestellt
- RS Best.-Nr.:
- 920-0975
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFX24N100Q3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 24 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1000 V | |
| Gehäusegröße | PLUS247 | |
| Serie | HiperFET, Q-Class | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 440 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 6.5V | |
| Verlustleistung max. | 1 kW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| Länge | 16.13mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 5.21mm | |
| Höhe | 21.34mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 24 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1000 V | ||
Gehäusegröße PLUS247 | ||
Serie HiperFET, Q-Class | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 440 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 6.5V | ||
Verlustleistung max. 1 kW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 140 nC @ 10 V | ||
Länge 16.13mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 5.21mm | ||
Höhe 21.34mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- US
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