IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 98 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
802-4506
Herst. Teile-Nr.:
IXFX98N50P3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

98 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Serie

HiperFET, Polar3

Gehäusegröße

PLUS247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

50 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Verlustleistung max.

1,3 kW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

5.21mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

197 nC @ 10 V

Länge

16.13mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

21.34mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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