IXYS Polar3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 98 A 130 W, 3-Pin PLUS247
- RS Best.-Nr.:
- 168-4749
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFX98N50P3
- Marke:
- IXYS
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
498,96 €
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | 16,632 € | 498,96 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-4749
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFX98N50P3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 98A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | Polar3 | |
| Gehäusegröße | PLUS247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 197nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 21.34mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 98A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie Polar3 | ||
Gehäusegröße PLUS247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 197nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 21.34mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
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