IXYS HiperFET, Polar3 IXFX150N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 150 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247

RS Best.-Nr.:: 802-4495
Herst. Teile-Nr.:: IXFX150N30P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 IXFX150N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 150 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	150 A
Drain-Source-Spannung max.	300 V
Gehäusegröße	PLUS247
Serie	HiperFET, Polar3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	19 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	1,3 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.21mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	197 nC @ 10 V
Länge	16.13mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	21.34mm